[发明专利]用于改善废气消减的系统和方法

摘要

本公开总体上涉及用于在半导体晶片的制造期间形成的废气的燃烧消减的系统和方法。特别地，本文描述的系统能够以比现有的消减系统更高的效率和更低的能量使用燃烧污染空气的全氟化碳，包括具有高温室气体指数的全氟化碳，例如六氟乙烷(C2F6)和四氟甲烷(CF4)，以及形成颗粒物的二氧化硅前体，例如硅烷(SiH4)和四乙氧基硅烷(Si(OC2H5)4，缩写为TEOS)。更具体地，并且在一个优选实施方案中，本公开针对于一种废气消减系统，其利用不可燃和可燃气体(或气体混合物)的组合进行热燃烧，所述气体被引导通过反应室的多个可渗透内表面，从而有效地燃烧废气并防止固体颗粒物质在腔室表面上的不希望的积聚。

主权项

1.一种用于燃烧消减废气的系统，包括：/na)废气入口；/nb)构造成接纳所述废气入口的入口歧管，所述入口歧管包括：/n第一气室，其具有第一外壁和第一可渗透内壁，/n第一气室入口，其构造成将第一气体经所述第一气室供应到所述第一可渗透内壁，和/n至少一个孔洞，其联接到所述废气入口并且延伸穿过所述第一外壁和所述第一可渗透内壁；/nc)热反应室，其联接到所述入口歧管并且构造成(i)经所述至少一个孔洞接收来自所述废气入口的废气和(ii)经所述第一可渗透内壁接收所述第一气体，所述热反应室包括：/n中央室，/n第二气室，其至少部分地围绕所述中央室，具有构造成接收第二气体的供应的第二气室入口，/n在所述中央室与所述第二气室之间的第二可渗透内壁，和/n第二外壁，其至少部分地限定所述第二气室；以及/nd)控制器，其配置成保持所述第一气体的流动、所述第二气体的流动或者所述第一气体和所述第二气体两者的流动并且控制所述第一可渗透内壁的至少一部分的表面处的燃烧和所述第二可渗透内壁的至少一部分的表面处的燃烧，/n其中/ni.所述第一可渗透内壁的表面的至少一部分包括构造成用于渗透包含可燃气体的混合物的燃烧器表面，所述第二可渗透内壁的表面的至少一部分构造成用于渗透包含不可燃气体的混合物；或者/nii.所述第二可渗透内壁的表面的至少一部分包括构造成用于渗透包含可燃气体的混合物的燃烧器表面，所述第一可渗透内壁的表面的至少一部分构造成用于渗透包含不可燃气体的混合物。/n