[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201880015952.7 申请日: 2018-03-29
公开(公告)号: CN110392940B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 福本雄一郎;藤沼尚洋;安西纯一郎;早川明伸;榑林哲也;会田哲也;宇野智仁 申请(专利权)人: 积水化学工业株式会社
主分类号: H10K85/50 分类号: H10K85/50;H10K71/00;H10K30/40;H10K30/50
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 蒋亭
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的目的在于,提供对于由水分自侧面浸入而导致的劣化具有高耐久性的太阳能电池。本发明的太阳能电池10具备第一电极12和第二电极17、钙钛矿层14和侧面保护层15,所述钙钛矿层14配置在第一电极12与第二电极17之间,且包含通式RMX3(R为有机分子、M为金属原子、X为卤素原子)所示的有机无机钙钛矿化合物(A),所述侧面保护层15以覆盖钙钛矿层14的侧面的至少一部分的方式设置于钙钛矿层14的外周侧,且包含选自金属卤化物(B1)和有机金属卤化物(B2)中的至少1种或有机卤化物(C)。
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种太阳能电池,其具备第一电极和第二电极、钙钛矿层和侧面保护层,所述钙钛矿层配置在所述第一电极与第二电极之间,且包含通式RMX3所示的有机无机钙钛矿化合物(A),通式RMX3中,R为有机分子、M为金属原子、X为卤素原子,所述侧面保护层以覆盖所述钙钛矿层的侧面的至少一部分的方式设置于所述钙钛矿层的外周侧,且包含选自金属卤化物(B1)和有机金属卤化物(B2)中的至少1种或有机卤化物(C)。
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