[发明专利]特别用于正面型成像器的绝缘体上半导体型结构和制造这种结构的方法在审
| 申请号： | 201880016053.9 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN110383456A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 沃尔特·施瓦岑贝格;O·科农丘克;卢多维克·埃卡尔诺 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;C30B25/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘爱勤;王小东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种绝缘体上半导体型结构，特别是用于正面型成像器的绝缘体上半导体型结构，该绝缘体上半导体型结构从其背面到其正面依次包括半导体支撑衬底(1)、电绝缘层(2)以及称为有源层的单晶半导体层(3)，其特征在于，所述有源层(3)由相对于所述支撑衬底(1)具有机械应力状态的半导体材料制成，并且其中，所述支撑衬底(1)在其背面包括氧化硅层(4)，该氧化物层(4)的厚度被选择为对在所述支撑衬底上通过外延形成所述有源层(3)的至少一部分之后在所述结构的冷却期间由所述有源层与所述支撑衬底之间的机械应力引起的弯曲度进行补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体上半导体型结构 衬底 源层 支撑 成像器 背面 半导体材料 单晶半导体层 机械应力状态 半导体支撑 电绝缘层 机械应力 氧化硅层 氧化物层 弯曲度 冷却 制造 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体上半导体型结构，特别是用于正面型成像器的绝缘体上半导体型结构，该绝缘体上半导体型结构从其背面到其正面依次包括半导体支撑衬底(1)、电绝缘层(2)以及指定为有源层的单晶半导体层(3)，其特征在于，所述有源层(3)由相对于所述支撑衬底(1)具有机械应力状态的半导体材料制成，并且其中，所述支撑衬底(1)在其背面包括氧化硅层(4)，所述氧化物层(4)的厚度被选择为对在所述支撑衬底上通过外延形成所述有源层(3)的至少一部分之后在所述结构的冷却期间由所述有源层与所述支撑衬底之间的机械应力引起的弯曲度进行补偿。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
