[发明专利]用于自下而上填充特征的湿法金属籽晶沉积的方法在审
| 申请号： | 201880016403.1 | 申请日： | 2018-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN110383458A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 萨曼莎·坦;鲍里斯·沃洛斯基;特塞翁格·金姆;普拉文·纳拉;诺维·特约克洛;阿图尔·科利奇 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种沉积用于对衬底的特征执行自下而上的间隙填充的金属籽晶的方法包括：提供包含多个特征的衬底；使稀释金属前体溶液流入所述特征中，其中，所述稀释金属前体溶液包括金属前体和稀释液体；蒸发所述稀释液体以将所述金属前体定位在所述多个特征的底部；将所述衬底暴露于等离子体处理以将所述金属前体还原为金属或金属合金中的至少一种，并形成籽晶层；对所述衬底执行热处理；以及使用选择性间隙填充工艺以用过渡金属接触所述籽晶层来填充特征。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 金属前体 金属前体溶液 间隙填充 金属籽晶 稀释液体 籽晶层 稀释 沉积 填充 金属或金属合金 等离子体处理 热处理 过渡金属 特征执行 湿法 还原 蒸发 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种沉积用于对衬底的特征执行自下而上的间隙填充的金属籽晶的方法，其包括：提供包含多个特征的衬底；使稀释金属前体溶液流入所述特征中，其中所述稀释金属前体溶液包括金属前体和稀释液体；蒸发所述稀释液体以将所述金属前体定位在所述多个特征的底部；将所述衬底暴露于等离子体处理以将所述金属前体还原为金属或金属合金中的至少一种，并仅在所述多个特征的所述底部形成籽晶层；对所述衬底执行热处理；以及使用选择性间隙填充工艺以用接触所述多个特征的所述籽晶层而不是其他暴露部分的过渡金属来填充所述特征。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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