[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880016444.0 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110678989A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;竹内敏彦;山出直人;藤木宽士;森若智昭;木村俊介 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张桂霞;李志强 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：第一导电体；第一导电体上的第二导电体；覆盖第二导电体的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；以及第一氧化物上的第二氧化物，其中，在第一氧化物及第一绝缘体中设置有至少与第一导电体的一部分重叠的开口，并且，第二氧化物通过开口与第一导电体电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 导电体 氧化物 绝缘体 半导体装置 开口 微型化 导电体电 高集成化 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n第一导电体；/n所述第一导电体上的第二导电体；/n覆盖所述第二导电体的第一绝缘体；/n所述第一绝缘体上的第一氧化物；以及/n所述第一氧化物上的第二氧化物，/n其中，在所述第一氧化物及所述第一绝缘体中设置有至少与所述第一导电体的一部分重叠的开口，/n并且，所述第二氧化物通过所述开口与所述第一导电体电连接。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880016444.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
