[发明专利]用于对弱吸收正电子的对象的正电子发射体分布进行二维成像的方法和设备在审
| 申请号： | 201880016524.6 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN110418982A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | J.舍因斯 | 申请（专利权）人： | 于利奇研究中心有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/29 | 分类号： | G01T1/29 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;刘春元 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于对弱吸收正电子的对象的正电子发射体分布二维成像的方法和设备。根据本发明，所述方法的特征在于，将包含所述正电子发射体的待检查对象定位在磁场中，其中，离开待检查对象的正电子遵循所述磁场的走向并且撞击到正电子吸收器上，所述正电子吸收器同样定位在所述磁场中并且所述正电子吸收器在与所述正电子相互作用的情况下能够实现正电子在所述正电子吸收器上的撞击点的定位。为此，将包含正电子发射体的待检查对象以及正电子吸收器置于磁场中，从而正电子遵循所述磁场的走向并且在一个点上撞击在所述正电子吸收器上。如此获得的关于正电子的撞击点的位置信息被用于成像所述待检查对象中的正电子发射体分布。 | ||
| 搜索关键词： | 正电子 吸收器 正电子发射 磁场 检查对象 方法和设备 二维成像 撞击点 成像 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种用于在待检查对象中正电子发射体分布的二维成像的方法，其中，所述待检查对象包含正电子发射体，其特征在于，将包含所述正电子发射体的所述待检查对象定位在磁场中，其中，离开所述待检查对象的正电子遵循所述磁场的走向并且撞击到正电子吸收器上，所述正电子吸收器同样定位在所述磁场中并且所述正电子吸收器在与所述正电子相互作用的情况下能够实现所述正电子在所述正电子吸收器上的撞击点的定位。
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