[发明专利]确定用于处理光刻掩模的缺陷的修复形状的装置和方法有效
| 申请号： | 201880016925.1 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110418999B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | J.奥斯特;M.韦布林杰 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72;G03F1/74;G03F1/84 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明关于用于确定用于处理光刻掩模(100)的至少一个缺陷(140)的修复形状(195)的方法，其包含以下步骤：(a)决定至少一个缺陷(140)的修复形状(195)的至少一个校正值(185)，其中校正值(185)考虑光刻掩模(100)的至少一个图案元素(130)的位置(175)，该至少一个图案元素没有接触至少一个缺陷(140)；以及(b)通过应用至少一个校正值(185)来校正修复形状(195)。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 用于 处理 光刻 缺陷 修复 形状 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于确定用于处理光刻掩模(100)的至少一个缺陷(140)的修复形状(195)的方法，其中该方法包含以下步骤：a.决定该至少一个缺陷(140)的修复形状(195)的至少一个校正值(185)，其中该校正值(185)考虑该光刻掩模(100)的至少一个图案元素(130)的位置(175)，该至少一个图案元素没有接触该至少一个缺陷(140)；以及b.通过应用该至少一个校正值(185)来校正该修复形状(195)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡尔蔡司SMT有限责任公司，未经卡尔蔡司SMT有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880016925.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
