[发明专利]用于发光装置光谱红移的应变诱导纳米结构有效
| 申请号： | 201880017057.9 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN110447111B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 蔡凯威;傅惠源 | 申请（专利权）人： | 港大科桥有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邹宗亮;牟科 |
| 地址： | 中国香港数码港道*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种构建于半导体发光装置上的纳米结构，该纳米结构在有源区中诱导应变。有源装置包含至少一个量子异质结构，其中应变改变了量子约束斯托克效应的程度，并且由此改变了发光波长。通过混合应变驰豫和应变诱导效应使发光的光谱得以拓宽，从而提供了多色发光。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 发光 装置 光谱 应变 诱导 纳米 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体纳米结构，其包含：具有有源区的发光半导体基板，所述有源区具有至少一个量子异质结构；和使用自上而下方法构建的应变诱导纳米结构，所述纳米结构的底部的位置为至少足够接近所述半导体基板的有源区，使得具有应变诱导的区域与所述有源区重叠，由此通过因纳米结构的构建所致的应变驰豫所形成的拉力来提高所述有源区中的应变。
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