[发明专利]场效应晶体管、其制造方法、显示元件、显示设备以及系统在审
| 申请号： | 201880017391.4 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN110392928A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 新江定宪;安藤友一;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;植田尚之;早乙女辽一;草柳岭秀 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/417;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李文娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | (目的)使场效应晶体管小型化。(实现目的的手段)一种场效应晶体管，包括在基底上形成的半导体膜、在所述半导体膜的一部分上形成的栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上形成的栅极电极，以及与所述半导体膜接触形成的源极电极和漏极电极，其中所述源极电极和所述漏极电极的厚度小于所述栅极绝缘膜的厚度，并且所述栅极绝缘膜包括不与所述源极电极或所述漏极电极接触的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极绝缘膜 场效应晶体管 半导体膜 漏极电极 源极电极 显示设备 显示元件 栅极电极 基底 制造 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：半导体膜，在基底上形成；栅极绝缘膜，在所述半导体膜的一部分上形成；栅极电极，在所述栅极绝缘膜上形成；以及源极电极和漏极电极，与所述半导体膜接触形成，其中所述源极电极和所述漏极电极的厚度小于所述栅极绝缘膜的厚度，以及所述栅极绝缘膜包括不与所述源极电极或所述漏极电极接触的区域。
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