[发明专利]被处理体的处理装置有效
| 申请号： | 201880017568.0 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN110402481B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 加贺美刚;福本英范 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 辛雪花;周艳玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的被处理体的处理装置具备：腔室，被构造为内部空间能够减压，并且在所述内部空间中对被处理体进行等离子体处理；第一电极，配设在所述腔室内，用于载置所述被处理体；第一电源，用于对所述第一电极施加负电位的偏置电压；气体导入装置，用于向所述腔室内导入工艺气体；和排气装置，用于对所述腔室内进行减压。在所述第一电极与所述被处理体之间，设置有以覆盖所述第一电极的方式设置的罩部。在所述第一电极与所述罩部之间，以占据局部区域的方式配置有衬垫部。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种被处理体的处理装置，具备：腔室，被构造为内部空间能够减压，并且在所述内部空间中对被处理体进行等离子体处理；第一电极，配设在所述腔室内，用于载置所述被处理体；第一电源，用于对所述第一电极施加负电位的偏置电压；气体导入装置，用于向所述腔室内导入工艺气体；和排气装置，用于对所述腔室内进行减压，在所述第一电极与所述被处理体之间，设置有以覆盖所述第一电极的方式设置的罩部，在所述第一电极与所述罩部之间，以占据局部区域的方式配置有衬垫部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
