[发明专利]蓄电设备有效
申请号: | 201880017572.7 | 申请日: | 2018-03-01 |
公开(公告)号: | CN110392955B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 殿川孝司;津国和之;工藤拓夫 | 申请(专利权)人: | 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 |
主分类号: | H01M10/36 | 分类号: | H01M10/36;H01M4/48;H01M10/38 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 蓄电设备(30)具备:第1氧化物半导体层(14),其具有第1导电型的第1氧化物半导体;第1充电层(16),其配置于第1氧化物半导体层(14)上、且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成;和,第3氧化物半导体层(24),其配置于第1充电层(16)上。第3氧化物半导体层(24)具有氢、和第2导电型的第3氧化物半导体,氢相对于构成第3氧化物半导体的金属的比率为40%以上。提供能增大每单位体积(重量)的蓄电容量的蓄电设备。 | ||
搜索关键词: | 设备 | ||
【主权项】:
1.一种蓄电设备,其特征在于,具备:第1氧化物半导体层,其具有第1导电型的第1氧化物半导体;第1充电层,其配置于所述第1氧化物半导体层上、且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成;和,第3氧化物半导体层,其配置于所述第1充电层上,所述第3氧化物半导体层具有氢、和第2导电型的第3氧化物半导体,所述氢相对于构成所述第3氧化物半导体的金属的比率为40%以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本麦可罗尼克斯股份有限公司,未经日本麦可罗尼克斯股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880017572.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。