[发明专利]气体阻隔膜、气体阻隔性膜、气体阻隔膜的制造方法、及气体阻隔性膜的制造方法在审
| 申请号： | 201880017865.5 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN110418859A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 森孝博 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/42 | 分类号： | C23C16/42;B32B9/00;C23C16/30;C23C16/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 制作如下的具有高的气体阻隔性和透明性的气体阻隔膜：在将组成用SiOxCy表示时，在厚度方向上以20nm以上且1000nm以下的范围具有在将横轴设为x、将纵轴设为y的正交坐标上由A(x＝0.8、y＝0.8)、B(x＝1.2、y＝0.8)、C(x＝1.9、y＝0.1)、D(x＝1.9、y＝0.0)、E(x＝0.8、y＝0.55)这5点包围的区域内存在的组成，算术平均粗糙度(Ra)为2.0nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 气体阻隔膜 气体阻隔性膜 算术平均粗糙度 气体阻隔性 正交坐标 横轴 制造 包围 制作 | ||
【主权项】：
1.一种气体阻隔膜，是含有硅、氧和碳的化学蒸镀膜，在将组成用SiOxCy表示时，在厚度方向上以20nm以上且1000nm以下的范围具有在将横轴设为x、将纵轴设为y的正交坐标上由A(x＝0.8、y＝0.8)、B(x＝1.2、y＝0.8)、C(x＝1.9、y＝0.1)、D(x＝1.9、y＝0.0)、E(x＝0.8、y＝0.55)这5点包围的区域内存在的组成，算术平均粗糙度(Ra)为2.0nm以下。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
