[发明专利]具有增强热稳定性的自旋轨道扭矩MRAM存储器单元在审
| 申请号： | 201880018109.4 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110447074A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | G·米哈伊洛维奇;C·H·曾 | 申请（专利权）人： | 闪迪技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 平面内SOT MRAM非易失性存储器单元由于相邻的反铁磁层提供的矫顽钉扎而具有増强的热稳定性，该反铁磁层的厚度小于提供交换偏置所需的最小临界厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 反铁磁层 非易失性存储器单元 增强热稳定性 单元平面 热稳定性 钉扎 偏置 自旋 轨道 交换 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器单元，包括：磁性隧道结，所述磁性隧道结包括自由层和钉扎层，其中所述自由层包括具有可切换的磁化方向的第一铁磁层；和第一反铁磁层，所述第一反铁磁层与所述第一铁磁层接触，所述第一反铁磁层的厚度小于为所述第一铁磁层提供交换偏置所需的最小临界厚度。
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