[发明专利]配置有单晶滤声器器件的整体单片集成式射频前端模块在审
申请号: | 201880018191.0 | 申请日: | 2018-01-12 |
公开(公告)号: | CN110419102A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 肖恩·R·吉布;戴维·艾歇勒;罗摩克里希纳·韦特力;马克·D·博姆加登;杰弗里·B·希利 | 申请(专利权)人: | 阿库斯蒂斯有限公司 |
主分类号: | H01L23/66 | 分类号: | H01L23/66;H01L23/552;H01L23/485;H01L25/07;H01L23/498 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 何月华 |
地址: | 美国北卡*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于整体单片单晶器件的制造方法和结构。该方法可以包括:形成覆盖在衬底上的第一单晶外延层以及形成覆盖在第一单晶外延层上的一个或多个第二单晶外延层。可以处理所述第一单晶外延层和所述一个或多个第二单晶外延层以形成一个或多个有源或无源器件部件。通过该过程,形成的器件包括集成有多种电路功能的整体外延堆叠体。 | ||
搜索关键词: | 单晶外延 射频前端模块 单晶器件 单片集成 电路功能 无源器件 堆叠体 滤声器 衬底 单晶 单片 覆盖 配置 制造 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造集成有多种电路功能的整体单片单晶器件的方法,所述方法包括:提供具有衬底表面区域的衬底;形成覆盖在所述衬底表面区域上的第一单晶外延层;处理所述第一单晶外延层以形成一个或多个有源或无源器件部件;形成覆盖在所述第一单晶外延层上的一个或多个第二单晶外延层;以及处理所述一个或多个第二单晶外延层以形成一个或多个有源或无源器件部件;其中,所述第一单晶外延层和所述一个或多个第二单晶外延层形成集成有多种电路功能的整体外延堆叠体。
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