[发明专利]传感器芯片和电子设备在审
申请号: | 201880018703.3 | 申请日: | 2018-03-14 |
公开(公告)号: | CN110447104A | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 松本晃 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/107 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉 |
地址: | 日本国神奈川*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及各使得借助光电转换生成的载流子能够被高效使用的传感器芯片和电子设备。在半导体基板中,在多个像素区域中的每一个中设置使借助光电转换生成的载流子倍增的至少一个或更多个雪崩倍增区域,并且由片上透镜凝聚在半导体基板上入射的光。然后,多个片上透镜设置在一个像素区域中。本技术例如可以应用于背面照射型CMOS图像传感器。 | ||
搜索关键词: | 载流子 半导体基板 传感器芯片 电子设备 光电转换 片上透镜 像素区域 倍增 背面照射型 高效使用 入射 雪崩 凝聚 应用 | ||
【主权项】:
1.一种传感器芯片,该传感器芯片包括:半导体基板,在该半导体基板中,在多个像素区域中的每一个中设置使借助光电转换生成的载流子倍增的至少一个或更多个雪崩倍增区域;和片上透镜,该片上透镜使在所述半导体基板上入射的光凝聚,其中,多个所述片上透镜设置在所述像素区域中的一个中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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