[发明专利]用于用非晶硅膜对高深宽比沟槽进行间隙填充的两步工艺

摘要

提供了用于用非晶硅膜对半导体器件特征(诸如高深宽比沟槽)进行间隙填充的方法。首先，将基板定位在处理腔室中，所述基板具有形成在所述基板的第一表面中的特征。然后执行保形沉积工艺，以在所述特征的侧壁和所述基板的处于所述特征之间的暴露的第一表面上沉积保形硅衬垫层。然后执行可流动沉积工艺以在所述保形硅衬垫层之上沉积可流动硅层。然后执行固化工艺以增大所述可流动硅层的硅密度。本文所述的方法一般通过所述保形硅沉积和所述可流动硅沉积两步工艺来改进整体蚀刻选择性，以用高品质非晶硅膜来实现特征之间的无缝间隙填充。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：将基板定位在处理腔室中，所述基板具有至少一个特征，所述至少一个特征形成在所述基板的表面中，所述至少一个特征具有侧壁和底表面；在所述基板表面以及所述至少一个特征的所述侧壁和所述底表面之上保形地沉积硅衬垫层；用可流动硅膜来填充所述至少一个特征；以及将所述硅衬垫层和所述可流动硅膜固化以使所述硅衬垫层和所述可流动硅膜凝固并形成基本上无缝的间隙填充物。