[发明专利]用于钙钛矿光电子器件的接触钝化在审
申请号: | 201880018784.7 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN110447116A | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 谭海仁;蓝新正;杨振宇;S·胡格兰德;E·萨金特 | 申请(专利权)人: | 多伦多大学管理委员会 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 郗名悦;刘文娜 |
地址: | 加拿大,*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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摘要: | 本文公开了完全经由在低温(<150℃)下进行溶液处理而制造的基于钙钛矿的光电子器件,所述基于钙钛矿的光电子器件提供用于简单的制造、与柔性衬底的相容性,以及基于钙钛矿的串联器件。这些基于钙钛矿的光电子器件是使用以下方式生产的:在电子传输层上形成钙钛矿层,使用配体钝化所述钙钛矿层,所述配体经选择以减少所述电子传输层与所述钙钛矿层之间的界面处的电子‑空穴复合。 | ||
搜索关键词: | 钙钛矿 光电子器件 钙钛矿层 电子传输层 钝化 配体 串联器件 空穴复合 溶液处理 界面处 相容性 衬底 制造 生产 | ||
【主权项】:
1.一种基于钙钛矿的光电子器件,其包括:a)光学透明电极;b)半导体电子传输层,所述半导体电子传输层在所述光学透明电极上;c)光吸收钙钛矿层,所述光吸收钙钛矿层形成在所述半导体电子传输层上;d)所述电子传输层具有定位在所述电子传输层与所述光吸收钙钛矿层之间的界面或接合部处的表面,所述表面至少部分地被配体Z封端,其中所述配体Z经选择以钝化在所述半导体电子传输层与所述光吸收钙钛矿层之间的所述界面或接合部处的表面态;以及e)空穴传输层,所述空穴传输层在所述光吸收钙钛矿层上,并且包括定位在所述空穴传输层上的电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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