[发明专利]三维存储器阵列有效
| 申请号： | 201880018878.4 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN110447115B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | F·佩里兹;I·托尔托雷利;A·皮罗瓦诺;A·雷达埃利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明包含三维存储器阵列及其处理方法。若干实施例包含：多个导线，其通过绝缘材料彼此分离；多个导电延伸部，其经布置以基本上垂直于所述多个导线延伸；及存储元件材料，其围绕所述多个导电延伸部中的每一相应者形成，且具有与所述多个导线中的每一相应者的两个不同接点，其中与所述多个导线中的每一相应者的所述两个不同接点位于所述相应导线的两个不同端处。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器阵列，其包括：多个导线，其通过绝缘材料彼此分离；多个导电延伸部，其经布置以基本上垂直于所述多个导线延伸；及存储元件材料，其围绕所述多个导电延伸部中的每一相应者形成，且具有与所述多个导线中的每一相应者的两个不同接点，其中与所述多个导线中的每一相应者的所述两个不同接点位于所述相应导线的两个不同端处。
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