[发明专利]将氧化镁插入磁性记忆体应用所用的自由层有效
| 申请号： | 201880018932.5 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110915010B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 裘地·玛丽·艾维塔;真杰诺;童儒颖;王柏刚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01;H10N50/85;G11C11/16 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;付文川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 揭露的磁穿隧接面中，自由层与第一金属氧化物(高介电常数增进层)与第二金属氧化物(穿隧阻障层)分别具有第一界面与第二界面，可产生垂直磁向异性以增加热稳定性。在一些实施例中，金属簇形成于自由层中，之后通过捕获氧可部分或完全氧化金属簇，以产生额外的自由层/氧化物界面，其可增进垂直磁向异性、提供可接收的电阻×面积值、并维持磁阻比例。在其他实施例中，自由层中连续或不连续的金属层(M)或合金层(MQ)可与捕获的氧反应形成部分氧化的金属层或合金层，其增进垂直磁向异性并维持可接受的电阻×面积值。M系镁、铝、硼、钙、钡、锶、钽、硅、锰、钛、锆、或铪，而Q系过渡金属、硼、碳、或铝。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镁 插入 磁性 记忆体 应用 所用 自由 | ||
【主权项】：
暂无信息
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