[发明专利]基于非易失性存储器单元阵列生成随机数的系统和方法有效
| 申请号： | 201880019158.X | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN110462582B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | V·蒂瓦里;M·雷顿 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F7/58 | 分类号： | G06F7/58;G11C16/04;G11C16/22;G11C16/24;G11C16/28;H01L27/11521;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器设备，该存储器设备生成唯一识别号，并且包括多个存储器单元以及控制器。该存储器单元中的每一个包括：第一区和第二区，该第一区和该第二区形成在半导体衬底中，其中该衬底的沟道区在该第一区和该第二区之间延伸；浮栅，该浮栅设置在该沟道区的第一部分上方并且与其绝缘；以及选择栅，该选择栅设置在该沟道区的第二部分上方并且与其绝缘。该控制器被配置为：在该存储器单元处于亚阈值状态时，向该存储器单元的该第一区施加一个或多个正电压，以生成穿过该沟道区中的每一个的泄漏电流；测量该泄漏电流；以及基于该测量的泄漏电流生成数字。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 非易失性存储器 单元 阵列 生成 随机数 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器设备，包括：/n多个存储器单元，其中所述存储器单元中的每一个包括：/n第一区和第二区，所述第一区和所述第二区形成在半导体衬底中，其中所述衬底的沟道区在所述第一区与所述第二区之间延伸，/n浮栅，所述浮栅设置在所述沟道区的第一部分上方并且与其绝缘，和/n选择栅，所述选择栅设置在所述沟道区的第二部分上方并且与其绝缘；/n控制器，所述控制器被配置为：/n在所述存储器单元处于亚阈值状态时，向所述存储器单元的所述第一区施加一个或多个正电压，以生成穿过所述沟道区中的每一个的泄漏电流，/n测量所述泄漏电流，以及/n基于所述测量的泄漏电流生成数字。/n
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