[发明专利]间隔物辅助的离子束蚀刻自旋扭矩转移磁阻随机存取存储器在审
| 申请号： | 201880020122.3 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN110431678A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 杨毅;沈冬娜;王郁仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;G11C11/16;G11B5/31 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供磁穿隧接面堆叠于基板上，包括底电极、钉扎层、穿隧阻障层、自由层、与顶电极。图案化磁穿隧接面堆叠以形成磁穿隧接面装置，其中侧壁损伤形成于磁穿隧接面装置的侧壁上。形成介电间隔物层于磁穿隧接面装置上。蚀刻移除水平表面上的介电间隔物，其中部分蚀刻侧壁上的介电间隔物。保留的介电间隔物覆盖钉扎层与底电极。由自由层移除介电间隔物，或者自由层上的介电间隔物较薄而钉扎层与底电极上的介电间隔物较厚。之后施加水平蚀刻至磁穿隧接面装置，以由自由层移除侧壁损伤，其中介电间隔物保护钉扎层与底电极免于蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 介电间隔物 穿隧 蚀刻 接面 底电极 钉扎层 自由层 移除 侧壁损伤 侧壁 堆叠 磁阻随机存取存储器 自旋扭矩转移 水平表面 图案化磁 顶电极 辅助的 间隔物 离子束 阻障层 基板 施加 保留 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻磁穿隧接面(MTJ)结构的方法，包括：提供一底电极于一基板上；沉积多个磁穿隧接面层的一堆叠于该底电极上，且该堆叠按序包括一钉扎层、一穿隧阻障层、与一自由层；提供一顶电极于该些磁穿隧接面层的该堆叠上；图案化该顶电极、该些磁穿隧接面层的该堆叠、与该底电极，以形成一磁穿隧接面装置，其中一侧壁损伤形成于该磁穿隧接面装置的侧壁上；顺应性地沉积一介电间隔物层于该基板及该磁穿隧接面装置上；蚀刻移除该基板与该磁穿隧接面装置的水平表面上的该介电间隔物层，其中部分蚀刻该磁穿隧接面装置的侧壁上的该介电间隔物层，以形成一锥形间隔物，且该底电极上的该锥形间隔物较宽，而该自由层上的该锥形间隔物较窄或不存在，其中该锥形间隔物覆盖该钉扎层与该底电极；以及之后施加水平的一物理蚀刻至该磁穿隧接面装置，以由该自由层移除该侧壁损伤，其中该锥形间隔物保护该钉扎层与该底电极免于该物理蚀刻。
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