[发明专利]烷氧基氢硅烷的制造方法及烷氧基卤代硅烷的制造方法有效

专利信息
申请号: 201880020434.4 申请日: 2018-03-19
公开(公告)号: CN110461856B 公开(公告)日: 2023-01-10
发明(设计)人: 佐藤章德;安田诚;西本能弘 申请(专利权)人: 株式会社钟化;国立大学法人大阪大学
主分类号: C07F7/18 分类号: C07F7/18
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 沈雪
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供能以高收率制造目标物的烷氧基氢硅烷的制造方法、可合适地在该烷氧基氢硅烷的制造方法中作为原料使用的烷氧基卤代硅烷的制造方法、和特定结构的新型烷氧基卤代硅烷。上述烷氧基氢硅烷的制造方法包括:在特定的条件下利用卤化剂将给定结构的烷氧基硅烷卤化而制造给定结构的烷氧基卤代硅烷;以及使用氢化剂将前述的给定结构的烷氧基卤代硅烷在含有具有醚键的非质子性有机溶剂的溶剂中氢化而制造期望结构的烷氧基氢硅烷。
搜索关键词: 烷氧基氢 硅烷 制造 方法 烷氧基卤代
【主权项】:
1.一种烷氧基氢硅烷的制造方法,其制造下述式(1)表示的烷氧基氢硅烷(A),/nH-SiR1a(OR2)3-a···(1)/n式(1)中,R1及R2分别独立地为任选具有取代基的碳原子数1~20的烃基,a为1或2,分别存在多个R1、OR2时,它们任选相同或不同,/n该制造方法包括:在含有具有醚键的非质子性有机溶剂50质量%以上的溶剂(S)中,使用氢化剂(D)将下述式(2)表示的烷氧基卤代硅烷(B)氢化,/nX-SiR1a(OR2)3-a···(2)/n式(2)中,R1、R2及a与式(1)同样,X为卤素原子,分别存在多个R1、OR2时,它们任选相同或不同。/n
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