[发明专利]气体团簇处理装置和气体团簇处理方法有效
| 申请号： | 201880020478.7 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN110462794B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 土桥和也;折居武彦;斋藤幸正;小池国彦;妹尾武彦;泉浩一;吉野裕;荘所正;兼平圭太 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;岩谷产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 向基板(S)照射气体团簇来对基板(S)进行规定的处理的气体团簇处理装置(100)具备：处理容器(1)；气体供给部(13)，其供给用于生成气体团簇的气体；质量流量控制器(14)，其控制从气体供给部(13)供给的气体的流量；团簇喷嘴(11)，其以规定的供给压力供给用于生成气体团簇的气体，将该气体喷出至被保持真空的处理容器内来通过绝热膨胀使该气体团簇化；以及压力控制部(15)，其设置于质量流量控制器(14)与团簇喷嘴(11)的之间的配管(12)，并且具有对用于生成气体团簇的气体的供给压力进行控制的背压控制器(17)。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种气体团簇处理装置，向被处理体照射气体团簇来对被处理体进行规定的处理，所述气体团簇处理装置的特征在于，具备：/n处理容器，被处理体配置于该处理容器；/n气体供给部，其供给用于生成气体团簇的气体；/n流量控制器，其控制从所述气体供给部供给的所述气体的流量；/n团簇喷嘴，其以规定的供给压力供给用于生成所述气体团簇的气体，将所述气体喷出至被保持真空的处理容器内来通过绝热膨胀使所述气体团簇化；以及/n压力控制部，其设置于所述流量控制器与所述团簇喷嘴之间的配管，并且具有对用于生成所述气体团簇的气体的供给压力进行控制的背压控制器。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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