[发明专利]氧化物烧结体及制造方法、薄膜及薄膜晶体管、电子设备、溅射靶有效
| 申请号： | 201880020911.7 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN110678433B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 井上一吉;柴田雅敏;川岛绘美;霍间勇辉;笘井重和 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/363;H01L27/146;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 毛立群 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及氧化物烧结体及制造方法、薄膜及薄膜晶体管、电子设备、溅射靶。其中，氧化物烧结体以下述式(1)～(3)所规定的范围的原子比含有In元素、Y元素以及Ga元素，0.80≦In/(In+Y+Ga)≦0.96…(1)0.02≦Y/(In+Y+Ga)≦0.10…(2)0.02≦Ga/(In+Y+Ga)≦0.15…(3)并且，以下述式(4)所规定的范围的原子比含有Al元素，0.005≦Al/(In+Y+Ga+Al)≦0.07…(4)式中，In、Y、Ga、Al分别表示氧化物烧结体中的In元素、Y元素、Ga元素以及Al元素的原子数。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 制造 方法 薄膜 薄膜晶体管 电子设备 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物烧结体，其特征在于，以下述式(1-1)～式(1-3)所规定的范围的原子比含有In元素、Y元素以及Ga元素，/n0.80≦In/(In+Y+Ga)≦0.96 …(1-1)/n0.02≦Y/(In+Y+Ga)≦0.10 …(1-2)/n0.02≦Ga/(In+Y+Ga)≦0.15 …(1-3)/n并且，以下述式(1-4)所规定的范围的原子比含有Al元素，/n0.005≦Al/(In+Y+Ga+Al)≦0.07…(1-4)/n式中，In、Y、Ga、Al分别表示氧化物烧结体中的In元素、Y元素、Ga元素以及Al元素的原子数。/n
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