[发明专利]光检测器有效
申请号: | 201880021118.9 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN110462847B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 东谦太;木村祯祐;尾崎宪幸;柏田真司;秦武广;高井勇;松原弘幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 金雪梅;王海奇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及光检测器。光检测器(1A)具备:检测部(10),构成为对SPAD(4)施加反向偏压来进行光检测;监视器用SPAD(12),具有与构成检测部的SPAD同样的特性;电流源(14),向监视器用SPAD供给恒定电流使监视器用SPAD以盖革模式进行动作;以及电压生成部(18),基于根据在监视器用SPAD的两端间产生的击穿电压设定的基准击穿电压和规定的过电压来生成施加到检测部的SPAD的反向偏压。 | ||
搜索关键词: | 检测器 | ||
【主权项】:
1.一种光检测器,具备:/n检测部(10),构成为具备SPAD(2),并对该SPAD施加与正向相反方向的反向偏压来进行光检测,上述SPAD是能够以盖革模式进行动作的雪崩光电二极管;/n监视器用SPAD(12),具有与构成上述检测部的上述SPAD同样的特性;/n电流源(14),构成为向上述监视器用SPAD供给恒定电流来使上述监视器用SPAD以盖革模式进行动作;以及/n电压生成部(18),构成为基于根据在上述监视器用SPAD的两端间产生的击穿电压设定的基准击穿电压、和规定的过电压,来生成施加到上述检测部的上述SPAD的反向偏压。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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