[发明专利]用于制造半导体装置的设备和方法有效
| 申请号： | 201880021201.6 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN110494968B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | T·奥斯特拉肯;C·德里德;L·吉迪拉 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/673;B23K26/03 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈洁;张鑫 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造半导体装置的设备，其包括：反应室，所述反应室包括用于保持衬底的衬底保持器；以及用于加热所述衬底的加热器。所述加热器可以包括竖直腔表面发射激光器，所述竖直腔表面发射激光器被构造和布置成将辐射束发射到由所述衬底保持器保持的衬底以加热所述衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 装置 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体装置的设备，其包括：/n反应室，所述反应室具有用于保持衬底的衬底保持器；以及/n用于加热所述衬底的加热器；其中所述加热器包括竖直腔表面发射激光器，所述竖直腔表面发射激光器被构造和布置成将辐射束发射到所述设备中的衬底。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASMIP控股有限公司，未经ASMIP控股有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880021201.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
