[发明专利]存储设备在审
| 申请号： | 201880021327.3 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN110494972A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 野野口诚二;荒谷胜久;大场和博 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L27/105;H01L27/11507;H01L27/11514;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李颖<国际申请>=PCT/JP2018/ |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 按照本公开的一个实施例的存储设备包括：沿一个方向延伸的多个第一配线层，沿另一个方向延伸的多个第二配线层，和多个存储器单元，所述多个存储器单元设置在其中所述多个第一配线层和所述多个第二配线层彼此相对的相应对向区域中。所述多个存储器单元各自包括选择元件层、存储元件层、和设置在所述选择元件层与所述存储元件层之间的中间电极层。所述选择元件层、存储元件层和中间电极层中的一个或多个是在所述多个存储器单元之间共有的公共层，其中所述多个存储器单元彼此相邻并沿所述一个方向或另一个方向延伸。所述中间电极层包括非线性电阻材料。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器单元 配线层 存储元件层 中间电极层 方向延伸 选择元件 非线性电阻材料 彼此相对 存储设备 公共层 对向 | ||
【主权项】：
1.一种存储设备，包括：/n沿一个方向延伸的多个第一配线层；/n沿另一个方向延伸的多个第二配线层；和/n多个存储器单元，所述多个存储器单元设置在其中所述多个第一配线层和所述多个第二配线层彼此相对的相应对向区域中，/n所述多个存储器单元各自包括选择元件层、存储元件层、和设置在所述选择元件层与所述存储元件层之间的中间电极层，/n所述选择元件层、存储元件层和中间电极层中的一个或多个是在所述多个存储器单元之间共有的公共层，所述多个存储器单元彼此相邻并沿所述一个方向或另一个方向延伸，/n所述中间电极层包括非线性电阻材料。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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