[发明专利]有机半导体激光元件有效

专利信息
申请号: 201880021370.X 申请日: 2018-03-22
公开(公告)号: CN110582905B 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 中野谷一;古川太郎;安达千波矢;畠山琢次 申请(专利权)人: 国立大学法人九州大学;学校法人关西学院
主分类号: H01S5/36 分类号: H01S5/36;C09K11/06;H01L51/50
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 于洁;褚瑶杨
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 包含下述通式所表示的化合物的有机半导体激光元件的激光束辐射的阈值低,且激光特性优异。A环、B环及C环为芳环或杂芳环,Y1为B、P、P=O、P=S、Al、Ga、As、Si‑R或Ge‑R,R为芳基或烷基,X1及X2为O、N‑R’、S或S e,R’为芳基、杂芳基或烷基。
搜索关键词: 有机半导体 激光 元件
【主权项】:
1.一种有机半导体激光元件,其包含下述通式(1)所表示的化合物,/n[化学式1]/n
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