[发明专利]用于MRAM的具有非磁性插入层的进动自旋电流结构有效
| 申请号： | 201880021775.3 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN110462739B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | B·A·考尔达斯;M·M·皮纳尔巴锡 | 申请（专利权）人： | 芯成半导体（开曼）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H10N50/10;H01F10/32 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种磁阻式随机存取存储器MRAM。MRAM装置具有磁性隧道结堆叠，其在磁性隧道结结构中具有性能经显著改进的自由层。所述MRAM装置利用进动自旋电流PSC磁性结构结合垂直MTJ，其中所述PSC磁性层的面内磁化方向是自由旋转。所述进动自旋电流磁性层具有由非磁性进动自旋电流插入层分离的第一及第二进动自旋电流铁磁性层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mram 具有 磁性 插入 自旋 电流 结构 | ||
【主权项】：
1.一种磁性装置，其包括/n第一合成反铁磁性结构，其在第一平面中，所述第一合成反铁磁性结构包含磁性参考层，所述磁性参考层具有垂直于所述第一平面的磁化矢量且具有固定磁化方向；/n非磁性隧道势垒层，其在第二平面中且安置在所述磁性参考层上方；/n自由磁性层，其在第三平面中且安置在所述非磁性隧道势垒层上方，所述自由磁性层具有垂直于所述第三平面的磁化矢量且具有能够从第一磁化方向进动到第二磁化方向的磁化方向，所述磁性参考层、所述非磁性隧道势垒层及所述自由磁性层形成磁性隧道结；/n非磁性间隔物层，其在第四平面中且安置在所述自由磁性层上方，磁性耦合层包括MgO；/n进动自旋电流磁性结构，其在第五平面中，其与所述自由磁性层物理分离且通过所述非磁性间隔物层耦合到所述自由磁性层，所述进动自旋电流磁性结构具有磁化矢量及在所述第五平面中能够在所述第五平面中的任何磁方向上自由旋转的磁化方向，所述进动自旋电流磁性结构包括第一进动自旋电流铁磁性层、非磁性进动自旋电流插入层及第二进动自旋电流铁磁性层，所述第一进动自旋电流铁磁性层安置在所述非磁性间隔物层上方，所述非磁性进动自旋电流插入层安置在所述第一进动自旋电流铁磁性层上方，且所述第二进动自旋电流铁磁性层安置在所述非磁性进动自旋电流插入层上方；及/n覆盖层，其在第六平面中且安置在所述进动自旋电流磁性结构上方；/n其中通过所述进动自旋电流磁性结构的电流的电子在所述进动自旋电流磁性层的所述磁方向上对准并注入到所述非磁性间隔物、所述自由磁性层、所述非磁性隧道势垒层及所述磁性参考层中，且其中所述进动自旋电流磁性结构的所述磁化方向进动，从而引起自旋转移力矩辅助所述自由磁性层的所述磁化矢量的切换。/n
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