[发明专利]热屏蔽部件、单晶提拉装置及单晶硅锭的制造方法在审
| 申请号： | 201880022285.5 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN110573662A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 梶原薰;末若良太;仓垣俊二;田边一美 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张泽洲;谭祐祥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提出一种能够扩大可获得无缺陷的单晶硅的晶体的提拉速度的界限的热屏蔽部件、单晶提拉装置及使用该单晶提拉装置的单晶硅锭的制造方法。本发明的热屏蔽部件（1）设置在从被配置于石英坩埚的周围的加热器加热并贮存在石英坩埚的硅熔液提拉单晶硅锭（I）的单晶提拉装置中，该热屏蔽部件（1）具备包围单晶硅锭的外周面的圆筒状的筒部（2）及在筒部（2）下部的环状的隆起部（3），该热屏蔽部件（1）的特征在于，隆起部（3）具有上壁（3a）、底壁（3b）及2个纵壁（3c、3d），在被这些壁所围成的空间具有环状的隔热材料（H），与单晶硅锭（I）相邻的一侧的纵壁（3c）和隔热材料（H）之间具有空隙。 | ||
| 搜索关键词： | 热屏蔽部件 单晶硅锭 单晶提拉装置 隔热材料 石英坩埚 隆起 提拉 筒部 纵壁 单晶硅 加热器 硅熔液 晶体的 圆筒状 底壁 上壁 外周 加热 贮存 包围 配置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种热屏蔽部件，其设置在从被配置于石英坩埚周围的加热器加热并贮存于所述石英坩埚的硅熔液提拉单晶硅锭的单晶提拉装置中，该热屏蔽部件具备包围所述单晶硅锭的外周面的圆筒状的筒部及在所述筒部的下部的环状的隆起部，该热屏蔽部件的特征在于，/n所述隆起部具有上壁、底壁及2个纵壁，在被这些壁所围成的空间具有环状的隔热材料，/n与所述单晶硅锭相邻的一侧的纵壁和所述隔热材料之间具有空隙。/n
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