[发明专利]半导体器件在审
申请号: | 201880022576.4 | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN110462835A | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 林祐湜;徐在元;崔珍熲;成演准;金钟贤;金会准 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/36;H01L33/62 |
代理公司: | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人: | 石海霞<国际申请>=PCT/KR2018 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一实施例提供了一种半导体器件,包括:发光结构,发光结构包括设置在一侧的多个第一发光部以及设置在另一侧的多个第二发光部;多个第一连接电极,配置为电连接多个第一发光部;多个第二连接电极,配置为电连接多个第二发光部;第一焊盘,设置于多个第一发光部上;第二焊盘,设置于多个第二发光部上。第一焊盘包括朝向第二焊盘延伸的多个1‑2焊盘。第二焊盘包括朝向第一焊盘延伸的多个2‑2焊盘。第一连接电极沿发光结构的厚度方向包括位于多个1‑2焊盘之间的区域。第二连接电极沿发光结构的厚度方向包括位于多个2‑2焊盘之间的区域。 | ||
搜索关键词: | 焊盘 发光部 发光结构 连接电极 电连接 半导体器件 延伸 配置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:/n发光结构,所述发光结构包括设置在一侧的多个第一发光部以及设置在另一侧的多个第二发光部;/n多个第一连接电极,配置为电连接所述多个第一发光部;/n多个第二连接电极,配置为电连接所述多个第二发光部;/n第一焊盘,设置于所述多个第一发光部上;/n第二焊盘,设置于所述多个第二发光部上,/n其中所述第一焊盘包括朝向所述第二焊盘延伸的多个1-2焊盘,/n所述第二焊盘包括朝向所述第一焊盘延伸的多个2-2焊盘,/n所述多个第一连接电极中的每一个第一连接电极包括处于位于所述多个1-2焊盘之间的平面上的区域,以及/n所述多个第二连接电极中的每一个第二连接电极包括处于位于所述多个2-2焊盘之间的平面上的区域。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的