[发明专利]半导体器件在审

专利信息
申请号: 201880022576.4 申请日: 2018-03-27
公开(公告)号: CN110462835A 公开(公告)日: 2019-11-15
发明(设计)人: 林祐湜;徐在元;崔珍熲;成演准;金钟贤;金会准 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/36;H01L33/62
代理公司: 72003 隆天知识产权代理有限公司 代理人: 石海霞<国际申请>=PCT/KR2018
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一实施例提供了一种半导体器件,包括:发光结构,发光结构包括设置在一侧的多个第一发光部以及设置在另一侧的多个第二发光部;多个第一连接电极,配置为电连接多个第一发光部;多个第二连接电极,配置为电连接多个第二发光部;第一焊盘,设置于多个第一发光部上;第二焊盘,设置于多个第二发光部上。第一焊盘包括朝向第二焊盘延伸的多个1‑2焊盘。第二焊盘包括朝向第一焊盘延伸的多个2‑2焊盘。第一连接电极沿发光结构的厚度方向包括位于多个1‑2焊盘之间的区域。第二连接电极沿发光结构的厚度方向包括位于多个2‑2焊盘之间的区域。
搜索关键词: 焊盘 发光部 发光结构 连接电极 电连接 半导体器件 延伸 配置
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:/n发光结构,所述发光结构包括设置在一侧的多个第一发光部以及设置在另一侧的多个第二发光部;/n多个第一连接电极,配置为电连接所述多个第一发光部;/n多个第二连接电极,配置为电连接所述多个第二发光部;/n第一焊盘,设置于所述多个第一发光部上;/n第二焊盘,设置于所述多个第二发光部上,/n其中所述第一焊盘包括朝向所述第二焊盘延伸的多个1-2焊盘,/n所述第二焊盘包括朝向所述第一焊盘延伸的多个2-2焊盘,/n所述多个第一连接电极中的每一个第一连接电极包括处于位于所述多个1-2焊盘之间的平面上的区域,以及/n所述多个第二连接电极中的每一个第二连接电极包括处于位于所述多个2-2焊盘之间的平面上的区域。/n
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