[发明专利]采用具有不同磁场灵敏度的隧道磁阻(TMR)器件以提高检测灵敏度的TMR传感器有效
| 申请号： | 201880022582.X | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN110462416B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | W-C·陈;许华南;李夏;康相赫;N·K·M·史蒂文斯-余 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张昊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种采用具有不同磁场灵敏度的TMR器件以提高检测灵敏度的隧道磁阻(TMR)传感器。例如，TMR传感器可用作生物传感器来检测生物材料的存在。在本文公开的方面中，制造TMR传感器中的至少两个TMR器件的自由层以相对于彼此显示出不同的磁特性(诸如MR比率、磁各向异性，矫顽力)，使得每个TMR器件将针对给定的杂散磁场显示出不同的电阻变化，以提高磁场检测灵敏度。例如，TMR器件可被制造为具有不同的磁特性，使得一个TMR器件在存在较小杂散磁场的情况下显示出更大的电阻变化，而另一TMR器件在存在较大杂散磁场的情况下显示出较大的电阻变化。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 具有 不同 磁场 灵敏度 隧道 磁阻 tmr 器件 提高 检测 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种隧道磁阻(TMR)传感器，包括：/n第一TMR器件，包括：/n第一钉扎层、第一自由层和设置在所述第一钉扎层与所述第一自由层之间的第一隧道势垒；/n所述第一TMR器件具有第一磁灵敏度和作为所述第一磁灵敏度的函数的第一电阻；以及/n第二TMR器件，包括：/n第二钉扎层、第二自由层和设置在所述第二钉扎层与所述第二自由层之间的第二隧道势垒；/n所述第二TMR器件具有不同于所述第一TMR器件的所述第一磁灵敏度的第二磁灵敏度，并且具有作为所述第二磁灵敏度的函数的第二电阻。/n
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