[发明专利]高介电强度绝缘体在审
| 申请号： | 201880022613.1 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN110506311A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 马尔科姆·罗伯特·斯诺博尔 | 申请（专利权）人： | 超生物科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B3/02 | 分类号： | H01B3/02 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强<国际申请>=PCT/GB |
| 地址： | 英国诺丁*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种用于使冷等离子体发生器的电极绝缘的高介电强度绝缘体，该高介电强度绝缘体包括具有至少70kV/mm的高介电强度的基底材料；和在该基底材料上形成的涂层，其中该涂层为以下中的至少一种：由介电强度大于或等于该基底材料的材料形成；由表面硬度大于该基底材料的材料形成；以及，无孔的。 | ||
| 搜索关键词： | 基底材料 高介电 绝缘体 材料形成 冷等离子体发生器 表面硬度 电极 介电 无孔 绝缘 | ||
【主权项】：
1.一种用于使冷等离子体发生器的电极绝缘的高介电强度绝缘体，所述高介电强度绝缘体包括：/n具有至少70kV/mm的高介电强度的基底材料；和/n在所述基底材料上形成的涂层，其中所述涂层为以下中的至少一种：/n(i)由介电强度大于或等于所述基底材料的材料形成；/n(ii)由表面硬度大于所述基底材料的材料形成；以及/n(iii)无孔的。/n
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