[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880022742.0 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN110521004B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 平林润;藤田实;福光由章 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/365;H01L29/06;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供沿着侧面的漏电流或侧面的破裂、缺口、裂开等难以产生的纵型结构的半导体装置。半导体装置具备：半导体层(20)，其具有第一及第二电极形成面(20a、20b)和侧面(20c)；阳极电极(40)，其形成于第一电极形成面(20a)；阴极电极(50)，其形成于第二电极形成面(20b)；绝缘膜(30)，其以覆盖第一边缘(E1)的方式从第一电极形成面(20a)遍及侧面(20c)连续地形成。根据本发明，因为半导体层(20)的侧面(20c)被绝缘膜(30)覆盖，所以沿着侧面(20c)的漏电流降低。另外，因为侧面(20c)被绝缘膜(30)保护，所以侧面(20c)的破裂、缺口、裂开等难以产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，/n具备：/n半导体层，其具有第一电极形成面、位于所述第一电极形成面的相反侧的第二电极形成面、以及具有作为与所述第一电极形成面的边界的第一边缘及作为与所述第二电极形成面的边界的第二边缘的侧面；/n第一电极，其形成于所述第一电极形成面；/n第二电极，其形成于所述第二电极形成面；/n绝缘膜，其以覆盖所述第一边缘的方式从所述第一电极形成面遍及所述侧面连续地形成。/n
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