[发明专利]固态成像器件和电子装置在审
申请号: | 201880023019.4 | 申请日: | 2018-03-23 |
公开(公告)号: | CN110494981A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 桥口日出登;庄子礼二郎;堀越浩;三桥生枝;饭岛匡;亀嶋隆季;石田実;羽根田雅希 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/02;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H04N5/369 |
代理公司: | 11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 姚鹏;曹正建<国际申请>=PCT/JP2 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | [目的]为了提出性能得到进一步改善的固态成像器件和电子装置。[方案]固态成像器件通过依次堆叠第一基板、第二基板、第三基板而形成。第一基板通过堆叠第一半导体基板和第一多层配线层形成并且形成有包含像素阵列的像素单元。第二基板通过堆叠第二半导体基板和第二多层配线层形成并且形成有具有特定功能的电路。第三基板通过堆叠第三半导体基板和第三多层配线层形成并且形成有具有特定功能的电路。第一基板和第二基板以第一多层配线层和第二半导体基板彼此相对的方式相互接合。用于将第一基板的电路与第二基板的电路电连接的第一连接结构包括过孔,过孔的结构为:在使第一多层配线层中的配线露出的第一贯通孔和使第二多层配线层中的配线露出且与第一贯通孔不同的第二贯通孔中,导电材料被埋入或形成为膜。 | ||
搜索关键词: | 多层配线 半导体基板 第二基板 第一基板 堆叠 贯通孔 固态成像器件 电路 基板 配线 电路电连接 彼此相对 导电材料 电子装置 连接结构 像素单元 像素阵列 接合 埋入 | ||
【主权项】:
1.一种固态成像器件,其包括:/n第一基板,所述第一基板包括第一半导体基板和堆叠在所述第一半导体基板上的第一多层配线层,所述第一半导体基板上形成有像素单元,所述像素单元上布置有像素;/n第二基板,所述第二基板包括第二半导体基板和堆叠在所述第二半导体基板上的第二多层配线层,所述第二半导体基板上形成有具有预定功能的电路;和/n第三基板,所述第三基板包括第三半导体基板和堆叠在所述第三半导体基板上的第三多层配线层,所述第三半导体基板上形成有具有预定功能的电路,/n所述第一基板、所述第二基板和所述第三基板依次堆叠,/n所述第一基板和所述第二基板以所述第一多层配线层与所述第二半导体基板彼此相对的方式接合在一起,/n所述固态成像器件包括用于将所述第一基板的电路与所述第二基板的电路彼此电连接的第一连接结构,/n所述第一连接结构包括过孔,所述过孔具有如下结构:其中,导电材料埋入在使所述第一多层配线层中的预定配线露出的第一贯通孔和使所述第二多层配线层中的预定配线露出且与所述第一贯通孔不同的第二贯通孔中;或者,所述过孔具有如下结构:其中,由导电材料形成的膜形成在所述第一贯通孔的内壁和所述第二贯通孔的内壁上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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