[发明专利]具有羰基结构的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物在审
| 申请号： | 201880023369.0 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN110494807A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 柴山亘;武田谕;中岛诚 | 申请（专利权）人： | 日产化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;C08G77/14;C08G77/22;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 11247 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 马妮楠;段承恩<国际申请>=PCT/JP |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供用于形成不进行蚀刻而仅通过化学溶液就能够将光刻后的掩模残渣除去的抗蚀剂下层膜的组合物。解决手段是一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，其用于形成含有硅的抗蚀剂下层膜，该含有硅的抗蚀剂下层膜为在通过光刻工艺将图案转印于下层后用包含过氧化氢的化学溶液进行掩模层的除去的工序中作为该掩模层而使用的膜，上述组合物包含聚硅氧烷，上述聚硅氧烷包含：包含含有羰基的官能团的结构单元。上述记载的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物中，包含含有羰基的官能团的结构单元为包含环状酸酐基、环状二酯基、或二酯基的结构单元。聚硅氧烷进一步包含：包含含有酰胺基的有机基的结构单元。酰胺基为磺酰胺基、或二烯丙基异氰脲酸酯基。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂下层膜 聚硅氧烷 形成用组合物 化学溶液 掩模层 酰胺基 羰基 蚀刻 异氰脲酸酯基 过氧化氢的 环状酸酐基 残渣除去 二烯丙基 光刻工艺 环状二酯 磺酰胺基 图案转印 有机基 二酯 光刻 下层 掩模 | ||
【主权项】：
1.一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，其用于形成含有硅的抗蚀剂下层膜，该含有硅的抗蚀剂下层膜为在通过光刻工艺将图案转印于下层后用包含过氧化氢的化学溶液进行掩模层的除去的工序中作为该掩模层而使用的膜，所述组合物包含聚硅氧烷，所述聚硅氧烷包含：包含含有羰基的官能团的结构单元。/n
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