[发明专利]具有竖直堆叠光电二极管和竖直转移门的图像传感器有效

专利信息
申请号: 201880023860.3 申请日: 2018-04-04
公开(公告)号: CN110494982A 公开(公告)日: 2019-11-22
发明(设计)人: J·C·J·汉森斯;M·H·因诺森特;S·韦利奇科;T·戈伊茨 申请(专利权)人: 半导体组件工业公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 章蕾<国际申请>=PCT/US2018/
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供了图像传感器(200),该图像传感器可以包括使用竖直深沟槽转移门(210)来互连的多个竖直堆叠光电二极管。可以在残余衬底(202)上形成第一n外延层(204A);可以在该第一n外延层上形成第一p外延层(206A);可以在该第一p外延层上形成第二n外延层(204B);可以在该第二n外延层上形成第二p外延层(206B);等等。该n外延层(204)可以用作不同外延光电二极管的累积区域。不需要单独的滤色器阵列。竖直转移门(210)可以是深沟槽,其填充有掺杂导电材料(212)、衬有栅极电介质衬垫(214)并且由p掺杂区域(216)围绕。以这种方式形成的图像传感器可以用于支持卷帘快门配置或全局快门配置,并且可以是前侧照明或背侧照明。
搜索关键词: 图像传感器 光电二极管 深沟槽 竖直 滤色器阵列 栅极电介质 背侧照明 导电材料 快门配置 全局快门 竖直堆叠 支持卷 互连 衬底 填充 掺杂 配置
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:/n浮动扩散区域(FD);/n第一光电二极管(199A,PDA);/n第二光电二极管(199B,PDB),所述第二光电二极管竖直堆叠在所述第一光电二极管上;和/n竖直转移门(210),所述竖直转移门被配置为选择性地将电荷从所述第一光电二极管转移到所述浮动扩散区域。/n
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