[发明专利]微电路形成方法及蚀刻液组合物有效
| 申请号： | 201880023887.2 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110521289B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 金修汉;郑光春;文晶胤;河性仁;文炳雄 | 申请（专利权）人： | 印可得株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/10 | 分类号： | H05K3/10;H05K3/06;H05K1/09 |
| 代理公司： | 北京瀚仁知识产权代理事务所(普通合伙) 11482 | 代理人： | 宋宝库 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微电路形成方法，本发明的微电路形成方法的特征在于，包括：种子层形成步骤，在基板材料上由导电物质形成高反射率种子(Seed)层；图案层形成步骤，在所述种子层上形成设置有图案槽的图案层，以便所述种子层选择性暴露；镀覆步骤，由导电物质来填充所述图案槽；图案层去除步骤，去除所述图案层；及种子层构图步骤，去除与所述镀覆步骤中的导电物质不重叠部分的种子层，所述高反射率种子层具有正反射特性。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 形成 方法 蚀刻 组合 | ||
【主权项】：
1.一种微电路形成方法，其特征在于，包括：/n种子层形成步骤，在基板材料上形成导电性的高反射率种子层；/n图案层形成步骤，在所述种子层上形成设置有图案槽的图案层，以便所述种子层选择性暴露；/n镀覆步骤，由导电物质来填充所述图案槽；/n图案层去除步骤，去除所述图案层；及/n种子层构图步骤，去除与所述镀覆步骤中的导电物质不重叠部分的种子层，/n所述高反射率种子层具有正反射特性。/n
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