[发明专利]化合物半导体晶体管与高密度电容器的集成在审

申请号：	201880024649.3	申请日：	2018-02-20
公开（公告）号：	CN110546756A	公开（公告）日：	2019-12-06
发明（设计）人：	杨斌;李夏;陶耿名	申请（专利权）人：	高通股份有限公司
主分类号：	H01L21/8252	分类号：	H01L21/8252;H01L23/522;H01L27/06;H01L49/02
代理公司：	11256 北京市金杜律师事务所	代理人：	董典红<国际申请>=PCT/US2018
地址：	美国加利***	国省代码：	美国;US
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摘要：	金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器包括化合物半导体衬底。MIM电容器包括化合物半导体衬底上的集电极接触层、集电极接触层上的第一电介质层、第一电介质层上的导电电极层以及导电电极层上的第二电介质层。MIM电容器包括第二电介质层上的第一导电互连、第一导电互连上的第三电介质层以及第三电介质层上的第二导电互连。第一电容组件包括集电极接触层、导电电极层和第一电介质层。第二电容组件包括第一导电互连、导电电极层和第二电介质层。第三电容组件包括第二导电互连、第一导电互连和第三电介质层。第一电容组件、第二电容组件和第三电容组件彼此并联布置。
搜索关键词：	电介质层导电互连电容组件导电电极层集电极接触层化合物半导体衬底绝缘体电容器金属并联布置
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【主权项】：

1.一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，包括：/n化合物半导体衬底；/n在所述化合物半导体衬底上的集电极接触层；/n在所述集电极接触层上的第一电介质层；/n在所述第一电介质层上的导电电极层，第一电容组件包括所述集电极接触层、所述导电电极层和所述第一电介质层；/n在所述导电电极层上的第二电介质层；/n在所述第二电介质层上的第一导电互连，第二电容组件包括所述第一导电互连、所述导电电极层和所述第二电介质层；/n在所述第一导电互连上的第三电介质层；和/n在所述第三电介质层上的第二导电互连，第三电容组件包括所述第二导电互连、所述第一导电互连和所述第三电介质层，并且与所述第二电容组件和所述第一电容组件并联布置。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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