[发明专利]正极活性物质、其制备方法及包含其的锂二次电池在审
申请号: | 201880024814.5 | 申请日: | 2018-04-13 |
公开(公告)号: | CN110506351A | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 宣良国;金云赫 | 申请(专利权)人: | 汉阳大学校产学协力团 |
主分类号: | H01M4/525 | 分类号: | H01M4/525;H01M4/505;H01M4/485;H01M10/44;H01M10/052;C01G53/00 |
代理公司: | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 延美花;臧建明<国际申请>=PCT/KR |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供正极活性物质。在上述正极活性物质中,镍为60摩尔百分比以上,包含锂及添加金属,具有第一结晶结构,上述第一结晶结构沿着c轴方向具有固有的晶格常数,在充放电过程中,生成第二结晶结构及第三结晶结构,上述第二结晶结构具有沿着c轴方向长于上述第一结晶结构的晶格常数,上述第三结晶结构具有沿着c轴方向短于上述第一结晶结构的晶格常数,通过上述添加金属,减少在充放电过程中生成的上述第二结晶结构及上述第三结晶结构的生成比率的变化量。 | ||
搜索关键词: | 结晶结构 晶格常数 正极活性物质 充放电过程 摩尔百分比 金属 变化量 | ||
【主权项】:
1.一种正极活性物质,其特征在于,/n镍为60摩尔百分比以上,包含锂及添加金属,/n具有第一结晶结构,上述第一结晶结构沿着c轴方向具有固有的晶格常数,/n在充放电过程中,生成第二结晶结构及第三结晶结构,上述第二结晶结构具有沿着c轴方向长于上述第一结晶结构的晶格常数,上述第三结晶结构具有沿着c轴方向短于上述第一结晶结构的晶格常数,/n通过上述添加金属,减少在充放电过程中生成的上述第二结晶结构及上述第三结晶结构的生成比率的变化量。/n
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