[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

提供一种能够实现高集成化的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容器以及第二电容器。第一晶体管包括第一绝缘体上的氧化物、氧化物上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第一导电体、第一导电体上的第三绝缘体、与第二绝缘体、第一导电体及第三绝缘体接触的第四绝缘体、以及与第四绝缘体接触的第五绝缘体。第二晶体管包括第一绝缘体上的氧化物、氧化物上的第六绝缘体、第六绝缘体上的第二导电体、第二导电体上的第七绝缘体、与第六绝缘体、第二导电体及第七绝缘体接触的第八绝缘体、以及与第八绝缘体接触的第九绝缘体，第一电容器包括氧化物、氧化物上的第十绝缘体、以及第十绝缘体上的第三导电体。第二电容器包括氧化物、氧化物上的第十一绝缘体、以及第十一绝缘体上的第四导电体。

主权项

1.一种半导体装置，包括：/n第一晶体管、第二晶体管、第一电容器、第二电容器以及布线，/n其中，所述第一晶体管包括：/n第一绝缘体上的氧化物；/n所述氧化物上的第二绝缘体；/n所述第二绝缘体上的第一导电体；/n所述第一导电体上的第三绝缘体；/n与所述第二绝缘体、所述第一导电体及所述第三绝缘体接触的第四绝缘体；以及/n与所述第四绝缘体接触的第五绝缘体，/n所述第二晶体管包括：/n所述第一绝缘体上的所述氧化物；/n所述氧化物上的第六绝缘体；/n所述第六绝缘体上的第二导电体；/n所述第二导电体上的第七绝缘体；/n与所述第六绝缘体、所述第二导电体及所述第七绝缘体接触的第八绝缘体；以及/n与所述第八绝缘体接触的第九绝缘体，/n所述第一电容器包括：/n所述氧化物；/n与所述氧化物的沟道长度方向上的一个侧面及所述氧化物的顶面的一部分接触的第十绝缘体；以及/n所述第十绝缘体上且与其接触的第三导电体，/n所述第二电容器包括：/n所述氧化物；/n与所述氧化物的所述沟道长度方向上的另一个侧面及所述氧化物的所述顶面的一部分接触的第十一绝缘体；以及/n所述第十一绝缘体上且与其接触的第四导电体，/n所述氧化物包括：/n与所述第二绝缘体重叠的所述第一晶体管的沟道形成区域；/n与所述第六绝缘体重叠的所述第二晶体管的沟道形成区域；以及/n所述第一晶体管的所述沟道形成区域与所述第二晶体管的所述沟道形成区域之间的区域，/n并且，所述布线与所述第五绝缘体及所述第九绝缘体接触且与所述区域电连接。/n