[发明专利]三维（3D）铁电偶极金属氧化物半导体铁电场效应晶体管（MOSFEFET）系统及相关方法和系统在审

申请号：	201880024956.1	申请日：	2018-03-09
公开（公告）号：	CN110506322A	公开（公告）日：	2019-11-26
发明（设计）人：	李夏;康相赫;杨斌;陶耿名	申请（专利权）人：	高通股份有限公司
主分类号：	H01L21/28	分类号：	H01L21/28;H01L29/51;H01L29/78
代理公司：	11256 北京市金杜律师事务所	代理人：	傅远<国际申请>=PCT/US2018/
地址：	美国加利***	国省代码：	美国;US
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摘要：	公开了一种三维(3D)铁电偶极金属氧化物半导体铁电场效应晶体管(MOSFeFET)系统及相关方法和系统。该3D铁电偶极MOSFeFET系统包括底部电介质层(328)；栅极层(332)，其设置在底部电介质层上方；以及顶部电介质层(334)，其设置在栅极层上方。该3D铁电偶极MOSFeFET系统还包括至少一个源极线(SL)线和至少一个位线(BL)。包括沟道(508)的至少一个互连(362，382，384，508，380，364，366)在底部电介质层(328)和顶部电介质层(334)之间延伸，并将至少一个源极线(SL)与至少一个位线(BL)互连。铁电偶极MOSFeFET(506)被形成在至少一个互连和栅极层的交叉区域处。铁电环(370，340)将栅极与沟道分离。沟道可以是硅柱形半导体，并且可以具有电介质芯(504)。该3D铁电偶极MOSFeFET系统可以提高部件密度，并且减少覆盖区。
搜索关键词：	铁电电介质层偶极栅极层互连沟道源极线位线金属氧化物半导体铁电场效应晶体管电介质芯交叉区域覆盖区硅柱半导体三维延伸
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【主权项】：

1.一种存储器系统，包括：/n三维(3D)铁电偶极金属氧化物半导体铁电场效应晶体管(MOSFeFET)系统，包括：/n底部电介质层，被设置在基板上方；/n至少一个源极线；/n栅极层，被设置在所述底部电介质层上方；/n顶部电介质层，被设置在所述栅极层上方；/n至少一个位线，被设置为使得所述底部电介质层、所述栅极层和所述顶部电介质层在所述至少一个源极线和所述至少一个位线之间；/n至少一个互连，在所述底部电介质层和所述顶部电介质层之间延伸，所述至少一个互连将所述至少一个源极线与所述至少一个位线电互连；以及/n至少一个铁电偶极MOSFeFET，被形成在所述至少一个互连和所述栅极层的交叉区域处。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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