[发明专利]耐久的低辐射率窗膜构造有效

专利信息
申请号: 201880025004.1 申请日: 2018-04-12
公开(公告)号: CN110506091B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 拉古纳特·帕迪亚斯;格雷戈里·F·金;斯蒂芬·P·梅基 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: C09J7/30 分类号: C09J7/30;B32B15/04
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 孙微;金小芳
地址: 美国明*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在某些实施方案中,本公开涉及低辐射率膜和包括该低辐射率膜的制品。其它实施方案涉及降低制品的辐射率的方法,该方法包括使用低辐射率膜。在一些实施方案中,低辐射率膜包括金属层和一对层,一层包含金属氧化物诸如氧化锌锡,而另一层包含硅化合物、与金属层的两侧中的每侧相邻。这种类型的组件可用于各种目的,包括用作太阳隔热膜。这些构造可用作例如窗用玻璃单元上的窗膜,以用于减少红外线辐射在两个方向上的跨膜透射。
搜索关键词: 耐久 辐射 率窗膜 构造
【主权项】:
1.一种膜,所述膜包括以列举的顺序彼此紧邻的以下元件:/n·基材;/n·第一辐射固化的丙烯酸酯层;/n·第一包含硅化合物的层,其中所述硅化合物选自氧化硅铝、氧氮化硅铝、氧化硅、氧氮化硅、氮化硅、氮化硅铝以及它们的组合,和/n·第一包含氧化锌锡的层,其中所述层具有4nm至8nm的厚度;/n·金属层;/n·第二包含氧化锌锡的层,其中所述层具有4nm至8nm的厚度;/n·第二包含硅化合物的层,其中所述硅化合物选自氧化硅铝、氧氮化硅铝、氧化硅、氧氮化硅、氮化硅、氮化硅铝以及它们的组合,和/n·第二辐射固化的丙烯酸酯层;/n其中所述膜具有小于0.2的辐射率/n其中所述第一包含硅化合物的层的厚度加上所述第一包含氧化锌锡的层的厚度之和为15nm至30nm,/n其中所述第二包含硅化合物的层的厚度加上所述第二包含氧化锌锡的层的厚度之和为9nm至15nm。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于3M创新有限公司,未经3M创新有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880025004.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top