[发明专利]用来在半导体基材上形成膜层的方法与装置及半导体基材在审

申请号：	201880025654.6	申请日：	2018-04-19
公开（公告）号：	CN110537243A	公开（公告）日：	2019-12-03
发明（设计）人：	詹士-乌伊·福斯;阮维特;汤玛斯·沛尔瑙;菲力克斯·华克	申请（专利权）人：	商先创国际股份有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L31/18;H01L33/44
代理公司：	11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人：	杨文娟;臧建明<国际申请>=PCT/EP
地址：	德国布劳博伊伦福特***	国省代码：	德国;DE
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摘要：	本发明涉及一种用来在多个半导体基材上形成膜层的方法，其中所述半导体基材容置在晶片舟中，使得所述半导体基材成对相对且以其待涂布表面相向的方式布置，并且每对半导体基材之间皆可被施加交流电压以在一对晶片之间产生等离子体，且晶片舟及所述多个半导体基材一起容置在处理室中。连续重复导入第一及第二前驱气体的循环，直至达到具有预设层厚的第一膜层或者预设数目的循环。随后将至少两个不同的前驱气体导入所述处理室并且在每对相邻半导体基材之间由所述前驱气体的混合物产生等离子体。
搜索关键词：	半导体基材前驱气体等离子体晶片舟容置待涂布表面相邻半导体第一膜层交流电压连续重复混合物预设层成对基材晶片膜层相向预设施加
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【主权项】：

1.一种用来在多个半导体基材上形成膜层的方法，其中所述半导体基材容置在晶片舟中，使得所述半导体基材成对相对且以其待涂布表面相向的方式布置，并且每对半导体基材之间皆可被施加交流电压以在一对晶片之间产生等离子体，且其中具有所述多个半导体基材的所述晶片舟容置在处理室中，其中所述用来在多个半导体基材上形成膜层的方法具有以下步骤：/n步骤a.将所述处理室加热至预设温度并在所述处理室中产生预设负压；/n步骤b.在所述预设温度下将第一前驱气体导入所述处理室，以便将所述第一前驱气体的一成分沉积在所述半导体基材的表面上，其中所述沉积是自限制且大体上产生沉积成分的单独一个原子层；/n步骤c.在所述预设温度下将第二前驱气体导入所述处理室，以便引起与在步骤b.中沉积的成分的反应，从而将所述第二前驱气体的一成分沉积在所述半导体基材的表面上，其中所述反应及所述沉积是自限制且产生沉积成分的一原子层；/n步骤d.重复步骤b.及步骤c.的循环，直至达到具有预设层厚的第一膜层或者预设数目的循环；以及/n步骤e.将至少两个不同的前驱气体导入所述处理室并且在每对相邻半导体基材之间产生由混合物构成的等离子体，以便将第二膜层沉积在所述第一膜层上，其中所述第二膜层具有与所述第一膜层大体相同的组成。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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