[发明专利]一种半导体发光元件有效
| 申请号： | 201880025748.3 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN110574175B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 柯韦帆;吴俊毅;钟秉宪 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种半导体发光元件，其包括键合衬底，该半导体发光元件的键合衬底包括第一表面和第二表面，第一表面上的多层金属层，多层金属层上的半导体发光序列，该键合衬底的边缘形成台阶结构，以使键合衬底的第一表面的边缘部分未被覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其包括键合衬底，所述的半导体发光元件的键合衬底包括第一表面和第二表面，第一表面上的多层金属层，多层金属层上的半导体发光序列，所述的键合衬底的边缘形成台阶结构，以使键合衬底的第一表面的边缘部分未被覆盖。/n
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