[发明专利]将硅屑回收利用为电子级多晶硅或冶金级硅的方法在审
| 申请号： | 201880026284.8 | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN110536865A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 穆恩·春;克里斯托夫·萨克斯;大卫·韦斯特拉特恩 | 申请（专利权）人： | 太阳能公司;道达尔太阳能国际公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;H01L31/18;B28D5/04 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孙微;金小芳<国际申请>=PCT/US2 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文描述了将硅屑回收利用为电子级多晶硅或冶金级硅的方法。在一个实例中，一种方法包括切割硅锭并从切割工艺中回收具有第一纯度的硅屑。在升级的冶金硅工艺中对所述回收的硅进行纯化，以生产具有比所述第一纯度更高的第二纯度的电子级多晶硅颗粒。所述升级的冶金硅工艺可包括将所述回收的硅颗粒溶解在熔融的铝金属熔体中。 | ||
| 搜索关键词： | 电子级多晶硅 冶金硅 硅屑 回收 切割 回收利用 冶金级硅 硅颗粒 铝金属 硅锭 熔融 熔体 升级 溶解 生产 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：/n切割硅锭以将所述硅锭分成晶片部分和硅屑，其中所述硅屑包括具有第一纯度的回收的硅颗粒和一种或多种污染物；以及/n将所述回收的硅颗粒纯化为具有比所述第一纯度更高的第二纯度的电子级多晶硅颗粒，其中纯化所述回收的硅颗粒包括将所述回收的硅颗粒溶解在熔融的铝金属熔体中。/n
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