[发明专利]薄膜电阻和薄膜传感器有效

专利信息
申请号: 201880026319.8 申请日: 2018-04-12
公开(公告)号: CN110520943B 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: B.米尔克;B.奥施特里克 申请(专利权)人: TDK电子股份有限公司
主分类号: H01C10/10 分类号: H01C10/10;H01C17/06;G01L1/18;G01L9/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 姬亚东;刘春元
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种薄膜电阻(2)以及一种具有薄膜电阻(2)的薄膜传感器(1)。薄膜电阻(2)具有压阻层(3),其中所述压阻层(3)具有M1+nAXn相,其中M具有至少一种过渡金属,A具有主族元素,X具有碳和/或氮,并且其中n=1、2或3。
搜索关键词: 薄膜 电阻 传感器
【主权项】:
1.一种具有压阻层(3)的薄膜电阻(2),其中所述压阻层(3)具有M1+nAXn相,其中M具有至少一种过渡金属,A具有主族元素,X具有碳和/或氮,并且其中n=1、2或3。/n
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