[发明专利]保持具有取向切口的半导体晶片的基座及沉积方法有效
| 申请号： | 201880026354.X | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110546752B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | R·绍尔 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;C30B25/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李振东;过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体晶片的正面上沉积层期间保持具有取向切口的半导体晶片的基座及通过使用基座沉积层的方法。基座包含基座环和基座基底，基座环包含在半导体晶片背面的边缘区域中放置半导体晶片的放置区以及基座环的邻接放置区的阶梯状外边界。基座具有四个位置，基座在这些位置处的结构不同于基座在四个另外的位置处的结构，由四个位置之一至四个位置中的下一个的间隔为90°，并且由四个位置之一至下一个另外的位置的间隔为45°，四个位置之一是切口位置，基座在此位置处的结构不同于基座在基座的四个位置中的三个其他位置处的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 保持 具有 取向 切口 半导体 晶片 基座 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.在半导体晶片的正面上沉积层期间保持具有取向切口的半导体晶片的基座，所述基座包含基座环和基座基底，所述基座环包含在半导体晶片背面的边缘区域中放置半导体晶片的放置区以及基座环的邻接放置区的阶梯状外边界，其特征在于，所述基座具有四个位置，基座在这些位置处的结构不同于基座在四个另外的位置处的结构，其中由四个位置之一至四个位置中的下一个的间隔为90°，并且由四个位置之一至下一个另外的位置的间隔为45°，四个位置之一是切口位置，基座在此位置处的结构不同于基座在基座的四个位置中的三个其他位置处的结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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