[发明专利]陶瓷电路基板及其制造方法和使用了该陶瓷电路基板的组件在审
| 申请号： | 201880026676.4 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110537256A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 原田祐作;汤浅晃正;中村贵裕;森田周平;西村浩二 | 申请（专利权）人： | 电化株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L23/12;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军;唐峥<国际申请>=PCT/JP2 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供耐热循环特性优异的陶瓷电路基板及功率组件。一种陶瓷电路基板，借助含有Ag、Cu以及活性金属的焊料使得陶瓷基板与铜板接合而成，其中，接合空隙率为1.0％以下，作为焊料成分的Ag的扩散距离为5μm～20μm。一种陶瓷电路基板的制造方法，其特征在于，趋向接合温度的升温过程中的400℃～700℃的温度范围内的加热时间为5分钟～30分钟，以720℃～800℃的接合温度保持5分钟～30分钟而进行接合。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 陶瓷电路基板 焊料 耐热循环特性 功率组件 活性金属 扩散距离 升温过程 陶瓷基板 温度保持 空隙率 铜板 加热 制造 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷电路基板，其借助含有Ag、Cu以及活性金属的焊料使得陶瓷基板与铜板接合而成，其特征在于，/n接合空隙率为1.0％以下，作为焊料成分的Ag的扩散距离为5μm～20μm。/n
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