[发明专利]经掺杂光伏半导体层及制造方法在审
| 申请号： | 201880027223.3 | 申请日： | 2018-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN110546769A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | S.格罗弗;李晓萍;R.马利克;S.塞伊莫哈马迪;熊刚;张威;S.欧文 | 申请（专利权）人： | 第一阳光公司 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/18 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 童春媛;彭昶<国际申请>=PCT/US2 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供在光伏器件中掺杂多晶薄膜半导体材料的结构和方法。实施方案包括用于形成和处理光伏半导体吸收层的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶薄膜半导体 半导体吸收层 光伏器件 光伏 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理光伏半导体吸收层的方法，所述方法包括：/n提供还原剂，以产生还原环境；/n在吸收层为还原环境的同时，使至少部分吸收层与钝化剂接触，其中吸收层掺杂有V族掺杂剂，且其中吸收层包括镉和碲；并且/n在处于选择的温度和选择的压力的还原环境中时，将吸收层加热选择的处理持续时间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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